Summary The main criteria for choosing the appropriate resist depend on the minimum feature size, sensitivity, contrast and etching resistance. There is a large … [Read more...] about Nanofabrication at Harvard CNS : E-beam resist – Ep3
E-beam resist
E-Beam resist – Nanofabrication at Harvard CNS – Ep2
Summary PMMA and ZEP520 are the most popular positive E-beam resists with high resolution capability. ZEP520 is well-known for high sensitivity and etch … [Read more...] about E-Beam resist – Nanofabrication at Harvard CNS – Ep2
E-Beam Lithography Resists (2)- 하버드대 CNS 나노팹에서 소자제조 – 3화
Summary E-beam resist를 선택할때 중요하게 고려할 사항들은 contrast, sensitivity, resolution, etch resistance이다. EBL에 영향을 미치는 많은 매개 변수들은 서로간에 복잡하게 영향을 주기때문에 성공적인 Electron beam … [Read more...] about E-Beam Lithography Resists (2)- 하버드대 CNS 나노팹에서 소자제조 – 3화
E-Beam Resist – 하버드대 CNS 나노팹에서 소자제조 – 2화
Summary 전자빔 리소그래피에서 널리 사용되는 감광제인 PMMA와 ZEP520A 특성을 비교해보자. 어떤 감광제를 사용할지 선택은 제작하고자 하는 소자가 필요하는 공정과 요구조건을 우선 먼저 이해하는게 필요하다. PMMA에 비해 가격이 비싼 ZEP520은 etch … [Read more...] about E-Beam Resist – 하버드대 CNS 나노팹에서 소자제조 – 2화
Nanofabrication at Harvard CNS : E-beam resist – Ep1( Getting ready)
Summary Migration toward next nod scaling of semiconductor device forces the equipment manufactures to develop new process technology to meet the more stringent … [Read more...] about Nanofabrication at Harvard CNS : E-beam resist – Ep1( Getting ready)