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Home / Archives for Elecron Beam Lithography Resist

Elecron Beam Lithography Resist

E-Beam Resist – 하버드대 CNS 나노팹에서 소자제조 – 2화

May 4, 2018 By sky Leave a Comment

Summary 전자빔 리소그래피에서 널리 사용되는 감광제인 PMMA와 ZEP520A 특성을 비교해보자. 어떤 감광제를 사용할지 선택은 제작하고자 하는 소자가 필요하는 공정과 요구조건을 우선 먼저 이해하는게 필요하다. PMMA에 비해 가격이 비싼 ZEP520은 etch … [Read more...] about E-Beam Resist – 하버드대 CNS 나노팹에서 소자제조 – 2화

Filed Under: nanofabrication, Nanotechnology Tagged With: E-beam resist, Elecron Beam Lithography Resist, Harvard CNS, PMMA, prototyping, Zep520, 나노팹, 하버드대 CNS

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